FDB3652-F085
FDB3652-F085
Número de pieza:
FDB3652-F085
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
50529 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
FDB3652-F085.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263AB
Serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:16 mOhm @ 61A, 10V
La disipación de energía (máximo):150W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:FDB3652-F085CT
FDB3652_F085CT
FDB3652_F085CT-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2880pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:53nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:N-Channel 100V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Ta), 61A (Tc)
Email:[email protected]

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