FDB3652-F085
FDB3652-F085
Modello di prodotti:
FDB3652-F085
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
50529 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FDB3652-F085.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263AB
Serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:16 mOhm @ 61A, 10V
Dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:FDB3652-F085CT
FDB3652_F085CT
FDB3652_F085CT-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2880pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:53nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Ta), 61A (Tc)
Email:[email protected]

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