ECH8601M-TL-H
ECH8601M-TL-H
Número de pieza:
ECH8601M-TL-H
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 24V 8A ECH8
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
22138 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
ECH8601M-TL-H.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1.3V @ 1mA
Paquete del dispositivo:8-ECH
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:23 mOhm @ 4A, 4.5V
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:ECH8601M-TL-HOSCT
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:7.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:24V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 8A (Ta) Surface Mount 8-ECH
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

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