ECH8601M-TL-H
ECH8601M-TL-H
Modello di prodotti:
ECH8601M-TL-H
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 24V 8A ECH8
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
22138 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
ECH8601M-TL-H.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:1.3V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:8-ECH
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:23 mOhm @ 4A, 4.5V
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-SMD, Flat Lead
Altri nomi:ECH8601M-TL-HOSCT
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione drain-source (Vdss):24V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 8A (Ta) Surface Mount 8-ECH
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

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