E3F2-R2Z1 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para E3F2-R2Z1, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para E3F2-R2Z1 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre E3F2-R2Z1 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
E3F2-R2Z1
- Número de pieza:
- E3F2-R2Z1
- Fabricante:
- Omron Automation & Safety
- Descripción:
- SENS OPTO REFL 100MM-2M PREWIRED
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 22509 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- E3F2-R2Z1.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Suministro de voltaje: | 24 ~ 240 VAC |
| Serie: | E3F2 |
| Método de detección: | Retroreflective |
| Distancia de detección: | 3.937" ~ 78.740" (100mm ~ 2m) ADJ |
| Tiempo de respuesta: | 30ms |
| Configuración de salida: | NPN - Open Collector/Light-ON |
| Otros nombres: | E3F2R2Z1 Z1090 |
| Temperatura de funcionamiento: | -25°C ~ 55°C |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fuente de luz: | Infrared |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Protección de ingreso: | IP66 NEMA |
| Método de conexión: | Wire |
| Tipo de ajuste: | Fixed |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de E3F2-R2Z1
Latest Noticias
- ARM apareció en Computex 2024: se espera que se puedan usar más de 100 mil millones de dispositivos ARM para AI a fines de 2025
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos