E3F2-R2Z1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla E3F2-R2Z1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla E3F2-R2Z1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup E3F2-R2Z1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
E3F2-R2Z1
- Part Number:
- E3F2-R2Z1
- Producent:
- Omron Automation & Safety
- Opis:
- SENS OPTO REFL 100MM-2M PREWIRED
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 22509 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- E3F2-R2Z1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 24 ~ 240 VAC |
| Seria: | E3F2 |
| Metoda pomiaru: | Retroreflective |
| Zasięg: | 3.937" ~ 78.740" (100mm ~ 2m) ADJ |
| Czas odpowiedzi: | 30ms |
| Konfiguracja wyjściowa: | NPN - Open Collector/Light-ON |
| Inne nazwy: | E3F2R2Z1 Z1090 |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 55°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Źródło światła: | Infrared |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Stopień ochrony: | IP66 NEMA |
| Metoda połączenia: | Wire |
| Typ regulacji: | Fixed |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do E3F2-R2Z1
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny