CUS521,H3F está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para CUS521,H3F, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para CUS521,H3F por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre CUS521,H3F con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
CUS521,H3F
- Número de pieza:
- CUS521,H3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 30V 200MA USC
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 52797 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- CUS521,H3F.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 500mV @ 200mA |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 30V |
| Paquete del dispositivo: | USC |
| Velocidad: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | SC-76, SOD-323 |
| Otros nombres: | CUS521H3FCT |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 125°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción detallada: | Diode Schottky 30V 200mA Surface Mount USC |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 30µA @ 30V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 200mA |
| Capacitancia Vr, F: | 26pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de CUS521,H3F
Latest Noticias
- ARM apareció en Computex 2024: se espera que se puedan usar más de 100 mil millones de dispositivos ARM para AI a fines de 2025
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos