70V658S10BC8
70V658S10BC8
Número de pieza:
70V658S10BC8
Fabricante:
IDT (Integrated Device Technology)
Descripción:
IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
Estado sin plomo:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad de stock:
34281 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.70V658S10BC8.pdf2.70V658S10BC8.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:10ns
Suministro de voltaje:3.15 V ~ 3.45 V
Tecnología:SRAM - Dual Port, Asynchronous
Paquete del dispositivo:256-CABGA (17x17)
Serie:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:256-LBGA
Otros nombres:IDT70V658S10BC8
IDT70V658S10BC8-ND
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):4 (72 Hours)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:2Mb (64K x 36)
Interfaz de memoria:Parallel
Formato de memoria:SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada:SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 10ns 256-CABGA (17x17)
Número de pieza base:IDT70V658
Tiempo de acceso:10ns
Email:[email protected]

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