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70V657S12DR
- Número de pieza:
- 70V657S12DR
- Fabricante:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Descripción:
- IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 58141 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.70V657S12DR.pdf2.70V657S12DR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 12ns |
| Suministro de voltaje: | 3.15 V ~ 3.45 V |
| Tecnología: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Paquete del dispositivo: | 208-PQFP (28x28) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 208-BFQFP |
| Otros nombres: | IDT70V657S12DR IDT70V657S12DR-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 1.125Mb (32K x 36) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | SRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descripción detallada: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 12ns 208-PQFP (28x28) |
| Número de pieza base: | IDT70V657 |
| Tiempo de acceso: | 12ns |
| Email: | [email protected] |
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