70V657S12DR je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro 70V657S12DR, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro 70V657S12DR e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si 70V657S12DR s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
70V657S12DR
- Part Number:
- 70V657S12DR
- Popis:
- IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 58141 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.70V657S12DR.pdf2.70V657S12DR.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napište čas cyklu - slovo,: | 12ns |
| Napětí - Supply: | 3.15 V ~ 3.45 V |
| Technika: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Dodavatel zařízení Package: | 208-PQFP (28x28) |
| Série: | - |
| Obal: | Tray |
| Paket / krabice: | 208-BFQFP |
| Ostatní jména: | IDT70V657S12DR IDT70V657S12DR-ND |
| Provozní teplota: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ paměti: | Volatile |
| Velikost paměti: | 1.125Mb (32K x 36) |
| Paměťové rozhraní: | Parallel |
| Formát paměti: | SRAM |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Detailní popis: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 12ns 208-PQFP (28x28) |
| Číslo základní části: | IDT70V657 |
| přístupová doba: | 12ns |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro 70V657S12DR
Latest News
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný
- Pod zásuvkou AI vzduch jsou dva hlavní giganty čipu „nejsou silní“: rozbíjení peněz na rozbití hry, vsazení na 2025 týmové bitvy