70V658S10BC8
70V658S10BC8
Modello di prodotti:
70V658S10BC8
fabbricante:
IDT (Integrated Device Technology)
Descrizione:
IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
34281 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.70V658S10BC8.pdf2.70V658S10BC8.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:10ns
Tensione di alimentazione -:3.15 V ~ 3.45 V
Tecnologia:SRAM - Dual Port, Asynchronous
Contenitore dispositivo fornitore:256-CABGA (17x17)
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:256-LBGA
Altri nomi:IDT70V658S10BC8
IDT70V658S10BC8-ND
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):4 (72 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:2Mb (64K x 36)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:SRAM
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata:SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 10ns 256-CABGA (17x17)
Numero di parte base:IDT70V658
Tempo di accesso:10ns
Email:[email protected]

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