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TPCF8B01(TE85L,F,M
- Artikelnummer:
- TPCF8B01(TE85L,F,M
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 24272 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Prüfung: | 470pF @ 10V |
| Spannung - Durchschlag: | VS-8 (2.9x1.9) |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | U-MOSIII |
| RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.7A (Ta) |
| Polarisation: | 8-SMD, Flat Lead |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | TPCF8B01(TE85L,F,M |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 6nC @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.2V @ 200µA |
| FET-Merkmal: | P-Channel |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 20V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.9) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | Schottky Diode (Isolated) |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 20V |
| Kapazitätsverhältnis: | 330mW (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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