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TPCF8A01(TE85L)
- Artikelnummer:
- TPCF8A01(TE85L)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 47874 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.TPCF8A01(TE85L).pdf2.TPCF8A01(TE85L).pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 200µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | VS-8 (2.9x1.5) |
| Serie: | U-MOSIII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 330mW (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SMD, Flat Lead |
| Andere Namen: | TPCF8A01(TE85L)TR TPCF8A01(TE85L,F) TPCF8A01(TE85L,F)-ND TPCF8A01FTR TPCF8A01FTR-ND TPCF8A01TE85L TPCF8A01TE85LF TPCF8A01TR TPCF8A01TR-ND |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 590pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | Schottky Diode (Isolated) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 2V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 20V 3A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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