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TPCF8A01(TE85L)
- Modello di prodotti:
- TPCF8A01(TE85L)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 47874 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.TPCF8A01(TE85L).pdf2.TPCF8A01(TE85L).pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 200µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | VS-8 (2.9x1.5) |
| Serie: | U-MOSIII |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 330mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | TPCF8A01(TE85L)TR TPCF8A01(TE85L,F) TPCF8A01(TE85L,F)-ND TPCF8A01FTR TPCF8A01FTR-ND TPCF8A01TE85L TPCF8A01TE85LF TPCF8A01TR TPCF8A01TR-ND |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 590pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 20V 3A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per TPCF8A01(TE85L)
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