TPCF8B01(TE85L,F,M
제품 모델:
TPCF8B01(TE85L,F,M
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
무연 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 수량:
24272 Pieces
배달 시간:
1-2 days
리드 타임:
4-8 weeks
데이터 시트:
1.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf2.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf

소개

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규격

조건 New & Original, tested
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마킹 코드 Send by email
전압 - 테스트:470pF @ 10V
전압 - 파괴:VS-8 (2.9x1.9)
아이디 @ VGS (일) (최대):110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
연속:U-MOSIII
RoHS 상태:Tape & Reel (TR)
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):2.7A (Ta)
편광:8-SMD, Flat Lead
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:TPCF8B01(TE85L,F,M
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:6nC @ 5V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:1.2V @ 200µA
FET 특징:P-Channel
확장 설명:P-Channel 20V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.9)
소스 전압에 드레인 (Vdss):Schottky Diode (Isolated)
기술:MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):20V
용량 비율:330mW (Ta)
Email:[email protected]

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