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RCD041N25TL
RCD041N25TL
Artikelnummer:
RCD041N25TL
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
25922 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
RCD041N25TL.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:CPT3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1300 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max):850mW (Ta), 20W (Tc)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:RCD041N25TLCT
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):250V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 250V 4A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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