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RCD100N20TL
RCD100N20TL
Artikelnummer:
RCD100N20TL
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
44569 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
RCD100N20TL.pdf
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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5.25V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:CPT3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:182 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max):850mW (Ta), 20W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):200V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 200V 10A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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