IXTH64N65X
IXTH64N65X
Artikelnummer:
IXTH64N65X
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 64A TO-247
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
45406 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
IXTH64N65X.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247 (IXTH)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:51 mOhm @ 32A, 10V
Verlustleistung (max):890W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:5500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:143nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 650V 64A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:64A (Tc)
Email:[email protected]

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