Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTH64N65X
IXTH64N65X
IXTH64N65X
Αριθμός εξαρτήματος:
IXTH64N65X
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 64A TO-247
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
45406 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXTH64N65X.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXTH64N65X είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXTH64N65X, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXTH64N65X μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXTH64N65X με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-247 (IXTH)
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:51 mOhm @ 32A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):890W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:5500pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:143nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):650V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 650V 64A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:64A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXTH64N65X

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXTH68P20T Image IXTH68P20T IXYS Corporation MOSFET P-CH 200V 68A TO-247 Έρευνα
IXTH64N10L2 Image IXTH64N10L2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 64A TO-247 Έρευνα
IXTH6N150 Image IXTH6N150 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247 Έρευνα
IXTH67N10 Image IXTH67N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD Έρευνα
IXTH72N20 Image IXTH72N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 72A TO-247 Έρευνα
IXTH60N10 Image IXTH60N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 60A TO-247 Έρευνα
IXTH60N15 Image IXTH60N15 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 60A TO-247 Έρευνα
IXTH62N65X2 Image IXTH62N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 62A TO-247 Έρευνα
IXTH60N25 Image IXTH60N25 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 60A TO-247 Έρευνα
IXTH6N50D2 Image IXTH6N50D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 6A TO247 Έρευνα
IXTH5N100A Image IXTH5N100A IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD Έρευνα
IXTH62N25T Image IXTH62N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 62A TO-247 Έρευνα
IXTH60N30T Image IXTH60N30T IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 60A TO-247 Έρευνα
IXTH6N100D2 Image IXTH6N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 6A TO247 Έρευνα
IXTH6N90 Image IXTH6N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 6A TO-247 Έρευνα
IXTH6N80A Image IXTH6N80A IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 6A TO-247 Έρευνα
IXTH60N20L2 Image IXTH60N20L2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 Έρευνα
IXTH6N120 Image IXTH6N120 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD Έρευνα
IXTH6N90A Image IXTH6N90A IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 6A TO-247 Έρευνα
IXTH56N15T Image IXTH56N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 56A TO-247 Έρευνα

Latest Ειδήσεις