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IXTH6N120
IXTH6N120
Artikelnummer:
IXTH6N120
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
48265 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
IXTH6N120.pdf
Anfrage

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247 (IXTH)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.6 Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max):300W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1950pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1200V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 1200V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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