CSD86350Q5D
Artikelnummer:
CSD86350Q5D
Hersteller:
TI
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
Lead Free Status:
Enthält Blei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
58460 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
CSD86350Q5D.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:8-LSON (5x6)
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6 mOhm @ 20A, 8V
Leistung - max:13W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerLDFN
Andere Namen:296-27532-2
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:35 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1870pF @ 12.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:10.7nC @ 4.5V
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):25V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 40A 13W Surface Mount 8-LSON (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:40A
Basisteilenummer:CSD86350
Email:[email protected]

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