CSD86350Q5D
Modello di prodotti:
CSD86350Q5D
fabbricante:
TI
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
58460 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
CSD86350Q5D.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-LSON (5x6)
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:6 mOhm @ 20A, 8V
Potenza - Max:13W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerLDFN
Altri nomi:296-27532-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:35 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1870pF @ 12.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10.7nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 40A 13W Surface Mount 8-LSON (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:40A
Numero di parte base:CSD86350
Email:[email protected]

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