CSD87313DMST
Artikelnummer:
CSD87313DMST
Hersteller:
TI
Beschreibung:
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Lead Free Status:
Enthält Blei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
56963 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
CSD87313DMST.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1.2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:8-WSON (3.3x3.3)
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:-
Leistung - max:2.7W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerWDFN
Andere Namen:296-46623-2
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:35 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:4290pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 4.5V
Typ FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Merkmal:Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 2.7W Surface Mount 8-WSON (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:-
Email:[email protected]

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