JANTX1N1190R je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro JANTX1N1190R, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro JANTX1N1190R e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si JANTX1N1190R s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
JANTX1N1190R
- Part Number:
- JANTX1N1190R
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 25868 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- JANTX1N1190R.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.4V @ 110A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 600V |
| Dodavatel zařízení Package: | DO-5 |
| Rychlost: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | Military, MIL-PRF-19500/297 |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Ostatní jména: | 1086-15280 1086-15280-MIL |
| Provozní teplota - spojení: | -65°C ~ 175°C |
| Typ montáže: | Stud Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diode Type: | Standard |
| Detailní popis: | Diode Standard 600V 35A Stud Mount DO-5 |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 10µA @ 600V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 35A |
| Kapacitní @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro JANTX1N1190R
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1206AR | Microsemi | RECTIFIER | Dotaz |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Dotaz |
|
JANTX1N1186 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Dotaz |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Dotaz |
|
JANSR2N7389 | Microsemi | P CHANNEL MOSFET TO-39 | Dotaz |
|
JANSR2N7380 | Microsemi | N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD | Dotaz |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Dotaz |
|
JANSR2N7381 | Microsemi | N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD | Dotaz |
|
JANSR2N7269U | Microsemi | N CHANNEL MOSFET SMD-1 | Dotaz |
|
JANTX1N1186R | Microsemi | SILICON RECTIFIER | Dotaz |
|
JANSR2N7389U | Microsemi | P CHANNEL MOSFET LCC-18 | Dotaz |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Dotaz |
 |
JANTX1N1614 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 15A DO203AA | Dotaz |
|
JANTX1N1206A | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | Dotaz |
 |
JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Dotaz |
|
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Dotaz |
|
JANTX1N1615 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AA | Dotaz |
|
JANTX1N1614R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 15A DO203AA | Dotaz |
|
JANTX1N1615R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AA | Dotaz |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení