JANTX1N1190R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JANTX1N1190R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JANTX1N1190R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JANTX1N1190R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JANTX1N1190R
- رقم القطعة:
- JANTX1N1190R
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 25868 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JANTX1N1190R.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.4V @ 110A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-5 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/297 |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| اسماء اخرى: | 1086-15280 1086-15280-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Stud Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 600V 35A Stud Mount DO-5 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 35A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANTX1N1190R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1206AR | Microsemi | RECTIFIER | تحقيق |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | تحقيق |
|
JANTX1N1186 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | تحقيق |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | تحقيق |
|
JANSR2N7389 | Microsemi | P CHANNEL MOSFET TO-39 | تحقيق |
|
JANSR2N7380 | Microsemi | N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD | تحقيق |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | تحقيق |
|
JANSR2N7381 | Microsemi | N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD | تحقيق |
|
JANSR2N7269U | Microsemi | N CHANNEL MOSFET SMD-1 | تحقيق |
|
JANTX1N1186R | Microsemi | SILICON RECTIFIER | تحقيق |
|
JANSR2N7389U | Microsemi | P CHANNEL MOSFET LCC-18 | تحقيق |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | تحقيق |
 |
JANTX1N1614 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 15A DO203AA | تحقيق |
|
JANTX1N1206A | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | تحقيق |
 |
JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | تحقيق |
|
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | تحقيق |
|
JANTX1N1615 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AA | تحقيق |
|
JANTX1N1614R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 15A DO203AA | تحقيق |
|
JANTX1N1615R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AA | تحقيق |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC