JANSR2N7380 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JANSR2N7380، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JANSR2N7380 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JANSR2N7380 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JANSR2N7380
- رقم القطعة:
- JANSR2N7380
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD
- كمية المخزون:
- 30312 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JANSR2N7380.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-257 |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/614 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 200 mOhm @ 14.4A, 12V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2W (Ta), 75W (Tc) |
| حزمة / كيس: | TO-257-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 40nC @ 12V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 12V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 100V 14.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 14.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANSR2N7380
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANSR2N7381 | Microsemi | N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD | تحقيق |
|
JANSR2N7268U | Microsemi | N CHANNEL MOSFET SMD-1 | تحقيق |
|
JANSR2N7389U | Microsemi | P CHANNEL MOSFET LCC-18 | تحقيق |
|
JANSR2N5152U3 | Microsemi | RH POWER BJT | تحقيق |
|
JANSR2N7269 | Microsemi | N CHANNEL MOSFET TO-254 | تحقيق |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | تحقيق |
|
JANSR2N7389 | Microsemi | P CHANNEL MOSFET TO-39 | تحقيق |
|
JANTX1N1186 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | تحقيق |
|
JANSR2N5153U3 | Microsemi | RH POWER BJT | تحقيق |
|
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | تحقيق |
|
JANSR2N7261U | Microsemi | N CHANNEL MOSFET LCC-18 | تحقيق |
|
JANSR2N3810U | Microsemi | RH SMALL-SIGNAL BJT | تحقيق |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | تحقيق |
|
JANSR2N7269U | Microsemi | N CHANNEL MOSFET SMD-1 | تحقيق |
|
JANSR2N5153 | Microsemi | RH POWER BJT | تحقيق |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | تحقيق |
|
JANTX1N1186R | Microsemi | SILICON RECTIFIER | تحقيق |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | تحقيق |
|
JANSR2N3700UB | Microsemi | RH SMALL-SIGNAL BJT | تحقيق |
|
JANSR2N7262U | Microsemi | N CHANNEL MOSFET LCC-18 | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة