JANSR2N7381 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro JANSR2N7381, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro JANSR2N7381 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si JANSR2N7381 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
JANSR2N7381
- Part Number:
- JANSR2N7381
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD
- Množství zásob:
- 48450 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- JANSR2N7381.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-257 |
| Série: | Military, MIL-PRF-19500/614 |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 490 mOhm @ 9.4A, 12V |
| Ztráta energie (Max): | 2W (Ta), 75W (Tc) |
| Paket / krabice: | TO-257-3 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 12V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 12V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 200V |
| Detailní popis: | N-Channel 200V 9.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 9.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro JANSR2N7381
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Dotaz |
 |
JANSR2N7380 | Microsemi | N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD | Dotaz |
|
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Dotaz |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Dotaz |
|
JANSR2N7262U | Microsemi | N CHANNEL MOSFET LCC-18 | Dotaz |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Dotaz |
|
JANSR2N7268U | Microsemi | N CHANNEL MOSFET SMD-1 | Dotaz |
|
JANSR2N7269 | Microsemi | N CHANNEL MOSFET TO-254 | Dotaz |
|
JANSR2N7261U | Microsemi | N CHANNEL MOSFET LCC-18 | Dotaz |
|
JANSR2N7389 | Microsemi | P CHANNEL MOSFET TO-39 | Dotaz |
|
JANTX1N1186R | Microsemi | SILICON RECTIFIER | Dotaz |
|
JANSR2N3810U | Microsemi | RH SMALL-SIGNAL BJT | Dotaz |
|
JANSR2N5153U3 | Microsemi | RH POWER BJT | Dotaz |
|
JANSR2N5153 | Microsemi | RH POWER BJT | Dotaz |
|
JANSR2N5152U3 | Microsemi | RH POWER BJT | Dotaz |
|
JANTX1N1186 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Dotaz |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Dotaz |
|
JANSR2N7269U | Microsemi | N CHANNEL MOSFET SMD-1 | Dotaz |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Dotaz |
|
JANSR2N7389U | Microsemi | P CHANNEL MOSFET LCC-18 | Dotaz |
Latest News
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila