IXZ308N120 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IXZ308N120, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IXZ308N120 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IXZ308N120 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IXZ308N120
- Part Number:
- IXZ308N120
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- RF MOSFET N-CHANNEL DE375
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 53697 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IXZ308N120.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Jmenovitá: | 1200V |
| Napětí - Rozdělení: | - |
| Série: | Z-MOS™ |
| Stav RoHS: | Tube |
| Polarizace: | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IXZ308N120 |
| Frekvence: | - |
| Typ FET: | - |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet N-Channel |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | - |
| Popis: | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 1mA |
| Aktuální - Test: | - |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | N-Channel |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IXZ308N120
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IXZH10N50L2B | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | Dotaz |
 |
IXZ-2510 | InvenSense | MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN | Dotaz |
 |
IXZR16N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
 |
IXZ2210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 | Dotaz |
|
IXZR08N120 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
|
IXZR18N50A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
 |
STAC1011-350 | STMicroelectronics | FET RF 80V 1.09GHZ STAC265B | Dotaz |
 |
IXZ316N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | Dotaz |
|
IXZR18N50B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
 |
IXZ210N50L | IXYS Corporation | N-CHANNEL RF MOSFET 175MH | Dotaz |
 |
BLF879P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A | Dotaz |
|
IXZR08N120B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
 |
BLC8G27LS-160AVU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751 | Dotaz |
 |
IXZ631DF18N50 | IXYS RF | 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET | Dotaz |
|
IXZR18N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
 |
IXZ631DF12N100 | IXYS RF | IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA | Dotaz |
|
IXZ318N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL | Dotaz |
|
IXZ210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | Dotaz |
|
IXZR08N120A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
|
IXZH10N50L2A | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | Dotaz |
Latest News
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory