العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > STL3N10F7
STL3N10F7
STL3N10F7
رقم القطعة:
STL3N10F7
الصانع:
STMicroelectronics
وصف:
MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
47841 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
STL3N10F7.pdf
تحقيق

المقدمة

STL3N10F7 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STL3N10F7، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STL3N10F7 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STL3N10F7 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerFlat™ (2x2)
سلسلة:DeepGATE™, STripFET™ VII
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:70 mOhm @ 2A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2.4W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:6-PowerWDFN
اسماء اخرى:497-14993-6
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:38 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:408pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:7.8nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف تفصيلي:N-Channel 100V 4A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSTL3N10F7

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
STL38N65M5 Image STL38N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X تحقيق
STL40N10F7 Image STL40N10F7 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6 تحقيق
STL40C30H3LL Image STL40C30H3LL STMicroelectronics MOSFET N/P-CH 30V POWERFLAT تحقيق
STL33N60DM2 Image STL33N60DM2 STMicroelectronics N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP., تحقيق
STL34N65M5 Image STL34N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88 تحقيق
STL3N65M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT تحقيق
STL3NK40 Image STL3NK40 STMicroelectronics MOSFET N-CH 400V 0.43A 8PWRFLAT تحقيق
STL33N60M2 Image STL33N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88 تحقيق
STL40N75LF3 Image STL40N75LF3 STMicroelectronics MOSFET N CH 75V 40A PWRFLT 5X6 تحقيق
STL35N75LF3 Image STL35N75LF3 STMicroelectronics MOSFET تحقيق
STL35N15F3 Image STL35N15F3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT56 تحقيق
STL36DN6F7 Image STL36DN6F7 STMicroelectronics MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT تحقيق
STL3NM60N Image STL3NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT تحقيق
STL35N6F3 Image STL35N6F3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 44A POWERFLAT تحقيق
STL3N80K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT تحقيق
STL40DN3LLH5 Image STL40DN3LLH5 STMicroelectronics MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56 تحقيق
STL36N55M5 Image STL36N55M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT تحقيق
STL3P6F6 STMicroelectronics MOSFET P-CH 60V 3A POWERFLAT تحقيق
STL33N65M2 Image STL33N65M2 STMicroelectronics N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP., تحقيق
STL42N65M5 Image STL42N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLT8X8HV تحقيق

Latest الأخبار