STL40C30H3LL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STL40C30H3LL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STL40C30H3LL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STL40C30H3LL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STL40C30H3LL
- رقم القطعة:
- STL40C30H3LL
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 30V POWERFLAT
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48178 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STL40C30H3LL.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA (Min) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerFlat™ (5x6) |
| سلسلة: | STripFET™ VI |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 21 mOhm @ 4A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 60W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
| اسماء اخرى: | 497-15314-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 38 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 475pF @ 24V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4.6nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 40A, 30A 60W Surface Mount PowerFlat™ (5x6) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 40A, 30A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTL40C30H3LL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STL36N55M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT | تحقيق |
 |
STL3N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22 | تحقيق |
 |
STL45P3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET NCH 30V 45A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL40N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6 | تحقيق |
|
STL42N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLT8X8HV | تحقيق |
 |
STL3N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL42P4LLF6 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 40V 42A 8POWERFLAT | تحقيق |
 |
STL40DN3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56 | تحقيق |
|
STL3N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL3NK40 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 0.43A 8PWRFLAT | تحقيق |
|
STL40N75LF3 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 75V 40A PWRFLT 5X6 | تحقيق |
|
STL45N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT | تحقيق |
|
STL3P6F6 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 3A POWERFLAT | تحقيق |
 |
STL36DN6F7 | STMicroelectronics | MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL3NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL42P6LLF6 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT | تحقيق |
 |
STL35N75LF3 | STMicroelectronics | MOSFET | تحقيق |
|
STL38N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X | تحقيق |
|
STL4LN80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL45N10F7AG | STMicroelectronics | MOSFET | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل