العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > STL33N60DM2
STL33N60DM2
STL33N60DM2
رقم القطعة:
STL33N60DM2
الصانع:
STMicroelectronics
وصف:
N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP.,
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
31633 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
1.STL33N60DM2.pdf2.STL33N60DM2.pdf
تحقيق

المقدمة

STL33N60DM2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STL33N60DM2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STL33N60DM2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STL33N60DM2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±25V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerFlat™ (8x8) HV
سلسلة:MDmesh™ DM2
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:140 mOhm @ 10.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):150W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:8-PowerVDFN
اسماء اخرى:497-16941-6
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):3 (168 Hours)
الصانع المهلة القياسية:42 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1870pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:43nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف تفصيلي:N-Channel 600V 21A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSTL33N60DM2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
STL260N3LLH6 Image STL260N3LLH6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 260A POWERFLAT تحقيق
STL287N4F7AG STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V PWRFLAT 8X8 تحقيق
STL285N4F7AG Image STL285N4F7AG STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT تحقيق
STL26NM60N Image STL26NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT تحقيق
STL35N75LF3 Image STL35N75LF3 STMicroelectronics MOSFET تحقيق
STL28N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V PWRFLAT 8X8 تحقيق
STL38N65M5 Image STL38N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X تحقيق
STL36DN6F7 Image STL36DN6F7 STMicroelectronics MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT تحقيق
STL2N80K5 Image STL2N80K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT تحقيق
STL36N55M5 Image STL36N55M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT تحقيق
STL3N10F7 Image STL3N10F7 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22 تحقيق
STL31N65M5 Image STL31N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88 تحقيق
STL33N65M2 Image STL33N65M2 STMicroelectronics N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP., تحقيق
STL28N60DM2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8 تحقيق
STL35N15F3 Image STL35N15F3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT56 تحقيق
STL30P3LLH6 Image STL30P3LLH6 STMicroelectronics MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT تحقيق
STL33N60M2 Image STL33N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88 تحقيق
STL30N10F7 Image STL30N10F7 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 8A POWERFLAT تحقيق
STL34N65M5 Image STL34N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88 تحقيق
STL35N6F3 Image STL35N6F3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 44A POWERFLAT تحقيق

Latest الأخبار