LSM845JE3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LSM845JE3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LSM845JE3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LSM845JE3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LSM845JE3
- رقم القطعة:
- LSM845JE3
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 47369 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- LSM845JE3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Schottky |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 8A |
| الجهد - انهيار: | DO-214AB |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | DO-214AB, SMC |
| اسماء اخرى: | LSM845JE3MSTR |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | LSM845JE3 |
| وصف موسع: | Diode Schottky 45V 8A Surface Mount DO-214AB |
| تكوين الصمام الثنائي: | 2mA @ 45V |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 520mV @ 8A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 45V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLSM845JE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
LSM6DSLTR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 14LGA | تحقيق |
 |
LSM840J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO214AB | تحقيق |
 |
LSM6DSMTR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 14LGA | تحقيق |
|
LSM835JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB | تحقيق |
 |
LSM840GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB | تحقيق |
|
LSM840G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB | تحقيق |
 |
LSM6DSMUSTR | STMicroelectronics | INEMO INERTIAL MODULE: 3D ACCELE | تحقيق |
|
LSM835J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB | تحقيق |
|
LSM845J | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB | تحقيق |
|
LSM835G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB | تحقيق |
|
LSM6DSOTR | STMicroelectronics | CONSUMER MEMS | تحقيق |
|
LSM845JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB | تحقيق |
|
LSM845J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB | تحقيق |
|
LSM835GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB | تحقيق |
 |
LSM9DS1TR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO/MAG I2C/SPI 24LGA | تحقيق |
|
LSM845G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO215AB | تحقيق |
|
LSM6DSLUSTR | STMicroelectronics | MOD SIP ACCEL/GYRO 3D 14LGA | تحقيق |
 |
LSM9DS0TR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO/MAG I2C/SPI 24LGA | تحقيق |
|
LSM840JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO214AB | تحقيق |
|
LSM845GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO215AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM