LSM6DSLUSTR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LSM6DSLUSTR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LSM6DSLUSTR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LSM6DSLUSTR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LSM6DSLUSTR
- رقم القطعة:
- LSM6DSLUSTR
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- MOD SIP ACCEL/GYRO 3D 14LGA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 21736 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- LSM6DSLUSTR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-LGA (2.5x3) |
| سلسلة: | * |
| نوع الاستشعار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 14-VFLGA |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | Sensor Output |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLSM6DSLUSTR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
LSM835JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB | تحقيق |
 |
LSM545JE3 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 5A DO214AB | تحقيق |
 |
LSM835GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB | تحقيق |
|
LSM835J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB | تحقيق |
 |
LSM6DS3HTR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO/TEMP I2C/SPI LGA | تحقيق |
|
LSM840J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO214AB | تحقيق |
 |
LSM6DS33TR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 16LGA | تحقيق |
 |
LSM6DS0TR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 16LGA | تحقيق |
|
LSM840G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB | تحقيق |
|
LSM545J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 5A DO214AB | تحقيق |
 |
LSM6DSMTR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 14LGA | تحقيق |
|
LSM545J | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 5A DO214AB | تحقيق |
 |
LSM6DS3USTR | STMicroelectronics | INEMO INERTIAL MODULE: 3D ACCELE | تحقيق |
|
LSM545JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 5A DO214AB | تحقيق |
 |
LSM6DSOTR | STMicroelectronics | CONSUMER MEMS | تحقيق |
 |
LSM6DS3TR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 14VFLGA | تحقيق |
|
LSM840GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB | تحقيق |
|
LSM6DSMUSTR | STMicroelectronics | INEMO INERTIAL MODULE: 3D ACCELE | تحقيق |
 |
LSM6DSLTR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 14LGA | تحقيق |
|
LSM835G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي