LSM6DSOTR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LSM6DSOTR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LSM6DSOTR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LSM6DSOTR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LSM6DSOTR
- رقم القطعة:
- LSM6DSOTR
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- CONSUMER MEMS
- كمية المخزون:
- 54276 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- LSM6DSOTR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-LGA (2.5x3) |
| سلسلة: | iNEMO |
| نوع الاستشعار: | Accelerometer, Gyroscope, 3 Axis |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 14-VFLGA |
| نوع المخرجات: | I²C, SPI |
| اسماء اخرى: | 497-18181-2 LSM6DSOTR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| وصف تفصيلي: | Accelerometer, Gyroscope, 3 Axis Sensor I²C, SPI Output |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLSM6DSOTR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
LSM835J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB | تحقيق |
 |
LSM6DS33TR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 16LGA | تحقيق |
 |
LSM835GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB | تحقيق |
|
LSM840G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB | تحقيق |
 |
LSM6DS3TR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 14VFLGA | تحقيق |
 |
LSM6DS0TR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 16LGA | تحقيق |
 |
LSM6DSMTR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 14LGA | تحقيق |
 |
LSM6DSLUSTR | STMicroelectronics | MOD SIP ACCEL/GYRO 3D 14LGA | تحقيق |
|
LSM6DSMUSTR | STMicroelectronics | INEMO INERTIAL MODULE: 3D ACCELE | تحقيق |
|
LSM840JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO214AB | تحقيق |
|
LSM840J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO214AB | تحقيق |
|
LSM845G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO215AB | تحقيق |
|
LSM545JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 5A DO214AB | تحقيق |
 |
LSM6DSLTR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 14LGA | تحقيق |
|
LSM840GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB | تحقيق |
 |
LSM6DS3HTR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO/TEMP I2C/SPI LGA | تحقيق |
 |
LSM6DS3USTR | STMicroelectronics | INEMO INERTIAL MODULE: 3D ACCELE | تحقيق |
|
LSM835G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB | تحقيق |
|
LSM845GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO215AB | تحقيق |
|
LSM835JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار