LSM6DS3TR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LSM6DS3TR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LSM6DS3TR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LSM6DS3TR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LSM6DS3TR
- رقم القطعة:
- LSM6DS3TR
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 14VFLGA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 28394 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- LSM6DS3TR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-LGA (2.5x3) |
| سلسلة: | iNEMO |
| نوع الاستشعار: | Accelerometer, Gyroscope, Temperature, 3 Axis |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 14-VFLGA |
| نوع المخرجات: | I²C, SPI |
| اسماء اخرى: | 497-15383-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | Accelerometer, Gyroscope, Temperature, 3 Axis Sensor I²C, SPI Output |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLSM6DS3TR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
LSM545JE3 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 5A DO214AB | تحقيق |
 |
LSM835JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB | تحقيق |
 |
LSM545G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 5A DO215AB | تحقيق |
 |
LSM6DSOTR | STMicroelectronics | CONSUMER MEMS | تحقيق |
 |
LSM6DS33TR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 16LGA | تحقيق |
 |
LSM6DSMTR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 14LGA | تحقيق |
|
LSM835GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB | تحقيق |
|
LSM545GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 5A DO215AB | تحقيق |
|
LSM835J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB | تحقيق |
|
LSM835G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB | تحقيق |
 |
LSM6DS3USTR | STMicroelectronics | INEMO INERTIAL MODULE: 3D ACCELE | تحقيق |
|
LSM6DSMUSTR | STMicroelectronics | INEMO INERTIAL MODULE: 3D ACCELE | تحقيق |
|
LSM540JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB | تحقيق |
|
LSM545J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 5A DO214AB | تحقيق |
 |
LSM6DS3HTR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO/TEMP I2C/SPI LGA | تحقيق |
 |
LSM6DS0TR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 16LGA | تحقيق |
|
LSM545J | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 5A DO214AB | تحقيق |
|
LSM545JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 5A DO214AB | تحقيق |
 |
LSM6DSLTR | STMicroelectronics | IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 14LGA | تحقيق |
|
LSM6DSLUSTR | STMicroelectronics | MOD SIP ACCEL/GYRO 3D 14LGA | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟