JANS1N6636US متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JANS1N6636US، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JANS1N6636US عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JANS1N6636US مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JANS1N6636US
- رقم القطعة:
- JANS1N6636US
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE ZENER 4.7V 5W D5B
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 23136 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JANS1N6636US.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - زينر (الإسمي) (فز): | 4.7V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.5V @ 1A |
| تسامح: | ±5% |
| تجار الأجهزة حزمة: | E, Axial |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/356 |
| السلطة - ماكس: | 5W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | E, Axial |
| اسماء اخرى: | 1086-16012 1086-16012-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 2 Ohms |
| وصف تفصيلي: | Zener Diode 4.7V 5W ±5% Through Hole E, Axial |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 20µA @ 1V |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANS1N6636US
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANS1N6632US | Microsemi | DIODE ZENER 3.6V 5W D5B | تحقيق |
 |
JANS1N6640 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 300MA DO204AH | تحقيق |
|
JANS1N6638 | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 300MA DO204 | تحقيق |
 |
JANS1N6490US | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A | تحقيق |
|
JANS1N6661 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 500MA AXIAL | تحقيق |
|
JANS1N6485US | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A | تحقيق |
|
JANS1N6662US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A | تحقيق |
|
JANS1N6491CUS | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 1.5W D5A | تحقيق |
|
JANS1N938B-1 | Microsemi | DIODE ZENER 9V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANS1N6488 | Microsemi | DIODE ZENER 4.3V 1.5W D5A | تحقيق |
|
JANS1N6491US | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 1.5W D5A | تحقيق |
|
JANS1N6677UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA | تحقيق |
|
JANS1N6661US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 500MA D5D | تحقيق |
|
JANS1N6488C | Microsemi | DIODE ZENER 4.3V 1.5W D5A | تحقيق |
 |
JANS1N6328US | Microsemi | DIODE ZENER 15V 500MW B-SQ MELF | تحقيق |
|
JANS1N6642 | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO204AH | تحقيق |
|
JANS1N6642U | Microsemi | DIODE SWITCHING D-5D | تحقيق |
|
JANS1N6490 | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A | تحقيق |
|
JANS1N6329US | Microsemi | DIODE ZENER 16V 500MW B-SQ MELF | تحقيق |
 |
JANS1N6761UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41 | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة