JANS1N6761UR-1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JANS1N6761UR-1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JANS1N6761UR-1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JANS1N6761UR-1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JANS1N6761UR-1
- رقم القطعة:
- JANS1N6761UR-1
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 52358 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JANS1N6761UR-1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Schottky |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1A |
| الجهد - انهيار: | - |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/586 |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | 70pF @ 5V, 1MHz |
| الاستقطاب: | DO-213AB, MELF (Glass) |
| اسماء اخرى: | 1086-16036 1086-16036-MIL |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | JANS1N6761UR-1 |
| وصف موسع: | Diode Schottky 100V 1A Surface Mount |
| تكوين الصمام الثنائي: | 100µA @ 100V |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 380mV @ 100mA |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 100V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANS1N6761UR-1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANS1N938B-1 | Microsemi | DIODE ZENER 9V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANS1N943BUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 12.28V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANS2N2857UB-LC | Microsemi | TRANS NPN 15V TH | تحقيق |
 |
JANS1N6640 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 300MA DO204AH | تحقيق |
|
JANS1N6636US | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 5W D5B | تحقيق |
|
JANS1N6661 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 500MA AXIAL | تحقيق |
|
JANS1N6677UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA | تحقيق |
|
JANS1N938BUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 9V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANS1N6642U | Microsemi | DIODE SWITCHING D-5D | تحقيق |
|
JANS2N2221AUBC | Microsemi | NPN TRANSISTOR | تحقيق |
|
JANS1N6642 | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO204AH | تحقيق |
|
JANS1N6632US | Microsemi | DIODE ZENER 3.6V 5W D5B | تحقيق |
|
JANS1N941B-1 | Microsemi | DIODE ZENER 12.28V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANS2N2222AUBC | Microsemi | NPN TRANSISTOR | تحقيق |
|
JANS1N6638 | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 300MA DO204 | تحقيق |
 |
JANS1N6662US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A | تحقيق |
|
JANS2N2369AUBC | Microsemi | NPN TRANSISTOR | تحقيق |
|
JANS1N6661US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 500MA D5D | تحقيق |
 |
JANS2N2369AUB | Microsemi | TRANS NPN 15V SMD | تحقيق |
 |
JANS2N2222A | Microsemi | TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة