JANS1N6636US je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro JANS1N6636US, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro JANS1N6636US e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si JANS1N6636US s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
JANS1N6636US
- Part Number:
- JANS1N6636US
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- DIODE ZENER 4.7V 5W D5B
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 23136 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- JANS1N6636US.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Zener (nom) (Vz): | 4.7V |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.5V @ 1A |
| Tolerance: | ±5% |
| Dodavatel zařízení Package: | E, Axial |
| Série: | Military, MIL-PRF-19500/356 |
| Power - Max: | 5W |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | E, Axial |
| Ostatní jména: | 1086-16012 1086-16012-MIL |
| Provozní teplota: | -65°C ~ 175°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Impedance (Max) (ZZT): | 2 Ohms |
| Detailní popis: | Zener Diode 4.7V 5W ±5% Through Hole E, Axial |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 20µA @ 1V |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro JANS1N6636US
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
JANS1N6632US | Microsemi | DIODE ZENER 3.6V 5W D5B | Dotaz |
 |
JANS1N6640 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 300MA DO204AH | Dotaz |
|
JANS1N6638 | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 300MA DO204 | Dotaz |
 |
JANS1N6490US | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A | Dotaz |
|
JANS1N6661 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 500MA AXIAL | Dotaz |
|
JANS1N6485US | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A | Dotaz |
|
JANS1N6662US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A | Dotaz |
|
JANS1N6491CUS | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 1.5W D5A | Dotaz |
|
JANS1N938B-1 | Microsemi | DIODE ZENER 9V 500MW DO35 | Dotaz |
|
JANS1N6488 | Microsemi | DIODE ZENER 4.3V 1.5W D5A | Dotaz |
|
JANS1N6491US | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 1.5W D5A | Dotaz |
|
JANS1N6677UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA | Dotaz |
|
JANS1N6661US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 500MA D5D | Dotaz |
|
JANS1N6488C | Microsemi | DIODE ZENER 4.3V 1.5W D5A | Dotaz |
 |
JANS1N6328US | Microsemi | DIODE ZENER 15V 500MW B-SQ MELF | Dotaz |
|
JANS1N6642 | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO204AH | Dotaz |
|
JANS1N6642U | Microsemi | DIODE SWITCHING D-5D | Dotaz |
|
JANS1N6490 | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A | Dotaz |
|
JANS1N6329US | Microsemi | DIODE ZENER 16V 500MW B-SQ MELF | Dotaz |
 |
JANS1N6761UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41 | Dotaz |
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC