JAN1N4944 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN1N4944، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN1N4944 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN1N4944 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN1N4944
- رقم القطعة:
- JAN1N4944
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 21235 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN1N4944.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1A |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/360 |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | A, Axial |
| اسماء اخرى: | 1086-2010 1086-2010-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 150ns |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | JAN1N4944 |
| وصف موسع: | Diode Standard 400V 1A Through Hole |
| تكوين الصمام الثنائي: | 1µA @ 400V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.3V @ 1A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 400V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N4944
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N4954C | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.8V 5W AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N485B | Microsemi | DIODE ZENER 180V 500MW DO35 | تحقيق |
 |
JAN1N4627C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | تحقيق |
 |
JAN1N4954CUS | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.8V 5W D5B | تحقيق |
|
JAN1N4954DUS | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 5W D5B | تحقيق |
 |
JAN1N4954US | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 5W D5B | تحقيق |
|
JAN1N4955CUS | Microsemi | DIODE ZENER 7.5V 5W D5B | تحقيق |
 |
JAN1N4627DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4954D | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 5W AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N4955 | Microsemi | DIODE ZENER 7.5V 5W AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N4946 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N4955C | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 7.5V 5W AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N4627D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4626UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4627UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4627-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4954 | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 5W AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N4938-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 175V 100MA DO35 | تحقيق |
 |
JAN1N4942 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N4627CUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS