JAN1N4944 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para JAN1N4944, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para JAN1N4944 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre JAN1N4944 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
JAN1N4944
- Número de pieza:
- JAN1N4944
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 21235 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- JAN1N4944.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1A |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/360 |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | A, Axial |
| Otros nombres: | 1086-2010 1086-2010-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150ns |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | JAN1N4944 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 400V 1A Through Hole |
| configuración de diodo: | 1µA @ 400V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.3V @ 1A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 400V |
| Capacitancia Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de JAN1N4944
Latest Noticias
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo
- X-FAB presenta la tecnología de iluminación del sensor de imágenes para mejorar el rendimiento del sensor CMOS