JAN1N485B متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN1N485B، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN1N485B عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN1N485B مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN1N485B
- رقم القطعة:
- JAN1N485B
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE ZENER 180V 500MW DO35
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 52574 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN1N485B.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - زينر (الإسمي) (فز): | 180V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1V @ 100mA |
| تسامح: | ±2% |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-35 |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/118 |
| السلطة - ماكس: | 500mW |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| اسماء اخرى: | 1086-15730 1086-15730-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | Zener Diode 180V 500mW ±2% Through Hole DO-35 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 180V |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N485B
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N4627C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | تحقيق |
 |
JAN1N4627CUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | تحقيق |
 |
JAN1N4954US | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 5W D5B | تحقيق |
 |
JAN1N4954CUS | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.8V 5W D5B | تحقيق |
|
JAN1N4627DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | تحقيق |
 |
JAN1N4954D | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 5W AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N4627-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4626UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO213AA | تحقيق |
 |
JAN1N4944 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N4942 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N4626CUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4626D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 | تحقيق |
 |
JAN1N4938-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 175V 100MA DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4627D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4954DUS | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 5W D5B | تحقيق |
|
JAN1N4626DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4954 | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 5W AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N4954C | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.8V 5W AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N4946 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N4627UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي