JAN1N3612 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN1N3612، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN1N3612 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN1N3612 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN1N3612
- رقم القطعة:
- JAN1N3612
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 35774 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN1N3612.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1A |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/228 |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | A, Axial |
| اسماء اخرى: | 1086-1997 1086-1997-MIL Q8501595 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | JAN1N3612 |
| وصف موسع: | Diode Standard 400V 1A Through Hole |
| تكوين الصمام الثنائي: | 100µA @ 300V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.1V @ 1A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 400V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N3612
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N3338B | Microsemi | DIODE ZENER 82V 50W DO203AB | تحقيق |
 |
JAN1N3644 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N3595A-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35 | تحقيق |
|
JAN1N3645 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N3595AUS | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 150MA | تحقيق |
|
JAN1N3646 | Microsemi | DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N3611 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N3339B | Microsemi | DIODE ZENER 50W DO-203AB | تحقيق |
|
JAN1N3600 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7 | تحقيق |
 |
JAN1N3613 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N3671A | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N3673A | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N3330B | Microsemi | DIODE ZENER 47V 50W DO5 | تحقيق |
 |
JAN1N3614 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N3647 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N3595AUR-1 | Microsemi | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | تحقيق |
 |
JAN1N3595-1 | Microsemi Corporation | DIODE SW 125V 150MA DO35 | تحقيق |
|
JAN1N3671R | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N3595UR-1 | Microsemi | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N3671AR | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار