JAN1N3339B متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN1N3339B، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN1N3339B عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN1N3339B مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN1N3339B
- رقم القطعة:
- JAN1N3339B
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE ZENER 50W DO-203AB
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 28902 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN1N3339B.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - زينر (الإسمي) (فز): | 91V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.5V @ 10A |
| تسامح: | ±5% |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-203AB |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 50W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| اسماء اخرى: | 1086-15199 1086-15199-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Stud Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 15 Ohms |
| وصف تفصيلي: | Zener Diode 91V 50W ±5% Stud Mount DO-203AB |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 69.2V |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N3339B
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N3595AUR-1 | Microsemi | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N3595A-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35 | تحقيق |
|
JAN1N3318B | Microsemi | ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE | تحقيق |
|
JAN1N3312B | Microsemi | DIODE ZENER 13V 50W DO5 | تحقيق |
 |
JAN1N3174 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 300A DO205 | تحقيق |
|
JAN1N3595AUS | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 150MA | تحقيق |
 |
JAN1N3595-1 | Microsemi Corporation | DIODE SW 125V 150MA DO35 | تحقيق |
|
JAN1N3313B | Microsemi | ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE | تحقيق |
|
JAN1N3314B | Microsemi | DIODE ZENER 15V 50W DO5 | تحقيق |
 |
JAN1N3612 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N3613 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N3600 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7 | تحقيق |
 |
JAN1N3338B | Microsemi | DIODE ZENER 82V 50W DO203AB | تحقيق |
|
JAN1N3330B | Microsemi | DIODE ZENER 47V 50W DO5 | تحقيق |
 |
JAN1N3611 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N3323B | Microsemi | DIODE ZENER 27V 50W DO5 | تحقيق |
|
JAN1N3326B | Microsemi | DIODE ZENER 36V 50W DO5 | تحقيق |
|
JAN1N3595UR-1 | Microsemi | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N3325B | Microsemi | DIODE ZENER 33V 50W DO5 | تحقيق |
 |
JAN1N3614 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة