JAN1N3671AR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN1N3671AR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN1N3671AR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN1N3671AR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN1N3671AR
- رقم القطعة:
- JAN1N3671AR
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 51044 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN1N3671AR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.35V @ 38A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 800V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-203AA (DO-4) |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/260 |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| اسماء اخرى: | 1086-16804 1086-16804-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Chassis, Stud Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 800V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 800V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 12A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N3671AR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N3766R | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB | تحقيق |
|
JAN1N3766 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB | تحقيق |
 |
JAN1N3821C-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.3V 1W DO41 | تحقيق |
|
JAN1N3671A | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N3821A-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.3V 1W DO41 | تحقيق |
|
JAN1N3673AR | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA | تحقيق |
 |
JAN1N3821AUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB | تحقيق |
|
JAN1N3768 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB | تحقيق |
 |
JAN1N3614 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N3768R | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB | تحقيق |
|
JAN1N3600 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7 | تحقيق |
|
JAN1N3646 | Microsemi | DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N3673A | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N3671R | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | تحقيق |
 |
JAN1N3612 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N3611 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N3647 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N3613 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N3645 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N3644 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC