العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTT140N10P
IXTT140N10P
IXTT140N10P
رقم القطعة:
IXTT140N10P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
41285 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
IXTT140N10P.pdf
تحقيق

المقدمة

IXTT140N10P متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXTT140N10P، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXTT140N10P عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXTT140N10P مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:PolarHT™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:11 mOhm @ 70A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):600W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4700pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:155nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V, 15V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف تفصيلي:N-Channel 100V 140A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:140A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTT140N10P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTT110N10L2 Image IXTT110N10L2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 تحقيق
IXTT10P50 Image IXTT10P50 IXYS Corporation MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 تحقيق
IXTT16P20 Image IXTT16P20 IXYS Corporation MOSFET P-CH 200V 16A TO-268 تحقيق
IXTT1N250HV Image IXTT1N250HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV تحقيق
IXTT170N10P Image IXTT170N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 تحقيق
IXTT120N15P Image IXTT120N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 تحقيق
IXTT16P60P Image IXTT16P60P IXYS Corporation MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 تحقيق
IXTT12N150 Image IXTT12N150 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268 تحقيق
IXTT10N100D2 Image IXTT10N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 تحقيق
IXTT110N10P Image IXTT110N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 تحقيق
IXTT1N100 Image IXTT1N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 تحقيق
IXTT12N140 Image IXTT12N140 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 تحقيق
IXTT140P10T Image IXTT140P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 140A TO-268 تحقيق
IXTT10P60 Image IXTT10P60 IXYS Corporation MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 تحقيق
IXTT16N50D2 Image IXTT16N50D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 16A TO-268 تحقيق
IXTT16N10D2 Image IXTT16N10D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 تحقيق
IXTT16N20D2 Image IXTT16N20D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 16A TO-268 تحقيق
IXTT11P50 Image IXTT11P50 IXYS Corporation MOSFET P-CH 500V 11A TO-268 تحقيق
IXTT12N150HV Image IXTT12N150HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268 تحقيق
IXTT1N300P3HV Image IXTT1N300P3HV IXYS Corporation 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF تحقيق

Latest الأخبار