IXTT16N20D2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXTT16N20D2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXTT16N20D2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXTT16N20D2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXTT16N20D2
- رقم القطعة:
- IXTT16N20D2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 16A TO-268
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 53431 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXTT16N20D2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 73 mOhm @ 8A, 0V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 695W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 5500pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 208nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 200V 16A (Tc) 695W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTT16N20D2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTT110N10L2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT16P60P | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT170N10P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT1N250HV | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV | تحقيق |
|
IXTT16N10D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT12N150 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT140P10T | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 100V 140A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT11P50 | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 500V 11A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT12N140 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 | تحقيق |
|
IXTT1N300P3HV | IXYS Corporation | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | تحقيق |
|
IXTT16N50D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 16A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT110N10P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT1N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT1N450HV | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 | تحقيق |
|
IXTT140N10P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT12N150HV | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268 | تحقيق |
|
IXTT20P50P | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 500V 20A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT16P20 | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 200V 16A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT120N15P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT20N50D | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة