Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTT140N10P
IXTT140N10P
IXTT140N10P
Αριθμός εξαρτήματος:
IXTT140N10P
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
41285 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXTT140N10P.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXTT140N10P είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXTT140N10P, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXTT140N10P μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXTT140N10P με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-268
Σειρά:PolarHT™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11 mOhm @ 70A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):600W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:4700pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:155nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V, 15V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):100V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 100V 140A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:140A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXTT140N10P

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXTT110N10L2 Image IXTT110N10L2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 Έρευνα
IXTT10P50 Image IXTT10P50 IXYS Corporation MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 Έρευνα
IXTT16P20 Image IXTT16P20 IXYS Corporation MOSFET P-CH 200V 16A TO-268 Έρευνα
IXTT1N250HV Image IXTT1N250HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV Έρευνα
IXTT170N10P Image IXTT170N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 Έρευνα
IXTT120N15P Image IXTT120N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 Έρευνα
IXTT16P60P Image IXTT16P60P IXYS Corporation MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 Έρευνα
IXTT12N150 Image IXTT12N150 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268 Έρευνα
IXTT10N100D2 Image IXTT10N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 Έρευνα
IXTT110N10P Image IXTT110N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 Έρευνα
IXTT1N100 Image IXTT1N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 Έρευνα
IXTT12N140 Image IXTT12N140 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 Έρευνα
IXTT140P10T Image IXTT140P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 140A TO-268 Έρευνα
IXTT10P60 Image IXTT10P60 IXYS Corporation MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 Έρευνα
IXTT16N50D2 Image IXTT16N50D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 16A TO-268 Έρευνα
IXTT16N10D2 Image IXTT16N10D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 Έρευνα
IXTT16N20D2 Image IXTT16N20D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 16A TO-268 Έρευνα
IXTT11P50 Image IXTT11P50 IXYS Corporation MOSFET P-CH 500V 11A TO-268 Έρευνα
IXTT12N150HV Image IXTT12N150HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268 Έρευνα
IXTT1N300P3HV Image IXTT1N300P3HV IXYS Corporation 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF Έρευνα

Latest Ειδήσεις