العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFH140N10P
IXFH140N10P
IXFH140N10P
رقم القطعة:
IXFH140N10P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 100V 140A TO-247
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
44727 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
IXFH140N10P.pdf
تحقيق

المقدمة

IXFH140N10P متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFH140N10P، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFH140N10P عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFH140N10P مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 4mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247AD (IXFH)
سلسلة:HiPerFET™, PolarHT™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:11 mOhm @ 70A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):600W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4700pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:155nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف تفصيلي:N-Channel 100V 140A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:140A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFH140N10P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFH14N100 Image IXFH14N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 تحقيق
IXFH150N15P Image IXFH150N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 150A TO-247 تحقيق
IXFH14N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD تحقيق
IXFH13N100 Image IXFH13N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247 تحقيق
IXFH13N50 Image IXFH13N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD تحقيق
IXFH14N80P Image IXFH14N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 تحقيق
IXFH14N60P3 Image IXFH14N60P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 تحقيق
IXFH12N90P Image IXFH12N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 تحقيق
IXFH140N20X3 Image IXFH140N20X3 IXYS Corporation 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS تحقيق
IXFH14N80 Image IXFH14N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 تحقيق
IXFH13N90 Image IXFH13N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 13A TO-247 تحقيق
IXFH14N85X Image IXFH14N85X IXYS Corporation MOSFET N-CH 850V 14A TO247AD تحقيق
IXFH12N50F Image IXFH12N50F IXYS RF MOSFET N-CH 500V 12A TO247 تحقيق
IXFH13N80 Image IXFH13N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD تحقيق
IXFH14N60P Image IXFH14N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 تحقيق
IXFH14N100Q2 Image IXFH14N100Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD تحقيق
IXFH130N15X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH تحقيق
IXFH12N90 Image IXFH12N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD تحقيق
IXFH12N80P Image IXFH12N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 تحقيق
IXFH13N80Q Image IXFH13N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 تحقيق

Latest الأخبار