IXFH12N90 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFH12N90، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFH12N90 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFH12N90 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXFH12N90
- رقم القطعة:
- IXFH12N90
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 27354 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXFH12N90.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 4mA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247AD (IXFH) |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 900 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4200pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 155nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 900V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 900V 12A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFH12N90
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH13N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH12N100F | IXYS RF | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH13N80 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD | تحقيق |
 |
IXFH140N20X3 | IXYS Corporation | 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | تحقيق |
|
IXFH12N90P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH13N90 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 13A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH120N30X3 | IXYS Corporation | 300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | تحقيق |
|
IXFH12N120 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH12N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH12N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH14N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | تحقيق |
 |
IXFH130N15X3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
IXFH12N50F | IXYS RF | MOSFET N-CH 500V 12A TO247 | تحقيق |
|
IXFH12N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH140N10P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 140A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH13N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH12N100Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH13N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH12N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | تحقيق |
 |
IXFH120N25X3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 120A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS