Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFH140N10P
IXFH140N10P
IXFH140N10P
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFH140N10P
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 140A TO-247
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
44727 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFH140N10P.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFH140N10P είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFH140N10P, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFH140N10P μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFH140N10P με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-247AD (IXFH)
Σειρά:HiPerFET™, PolarHT™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11 mOhm @ 70A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):600W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:4700pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:155nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):100V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 100V 140A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:140A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFH140N10P

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFH14N100 Image IXFH14N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Έρευνα
IXFH150N15P Image IXFH150N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 150A TO-247 Έρευνα
IXFH14N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD Έρευνα
IXFH13N100 Image IXFH13N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247 Έρευνα
IXFH13N50 Image IXFH13N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD Έρευνα
IXFH14N80P Image IXFH14N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 Έρευνα
IXFH14N60P3 Image IXFH14N60P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 Έρευνα
IXFH12N90P Image IXFH12N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 Έρευνα
IXFH140N20X3 Image IXFH140N20X3 IXYS Corporation 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFH14N80 Image IXFH14N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 Έρευνα
IXFH13N90 Image IXFH13N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 13A TO-247 Έρευνα
IXFH14N85X Image IXFH14N85X IXYS Corporation MOSFET N-CH 850V 14A TO247AD Έρευνα
IXFH12N50F Image IXFH12N50F IXYS RF MOSFET N-CH 500V 12A TO247 Έρευνα
IXFH13N80 Image IXFH13N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD Έρευνα
IXFH14N60P Image IXFH14N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 Έρευνα
IXFH14N100Q2 Image IXFH14N100Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD Έρευνα
IXFH130N15X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH Έρευνα
IXFH12N90 Image IXFH12N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD Έρευνα
IXFH12N80P Image IXFH12N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 Έρευνα
IXFH13N80Q Image IXFH13N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 Έρευνα

Latest Ειδήσεις